IBMнар 155 гигаһерцлы графен транзистор ясаган

http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?14/53/12 дан урысча укый аласыз, һәм башка сайтларда да язылгандыр.
бер йыл элек 100 гигаһерцлыны ясаган булганнар. анысының затворы 240 нанометр булган, ә бу яңасының 40 кына икән.
бу урысча язмада комментарийларда язганнар, транзисторларның югарырак йышлыклылары да бар дийеп. шулай булгач, бу йышлык рекорды түгел, ә графен дигән яңа материал белән эшләүдәге уңыш. югарырак йышлыклы транзистор мисалы: http://ru.wikipedia.org/wiki/Кремний_на_изоляторе да язылган: изолятор өстендәге кремний технологиясе белән ясалганы 200 ГҺц белән эшләй ала. комментарийда 610 ГҺц лы транзистор һәм 1500 лесе турында әйтелгән. 610лысы турында язма: http://www.cybersecurity.ru/hard/37722.html. әмма анда әйтелгән бу хәзер иң югарылысы диеп, 2007енче йыл ахыры ул.
комментарийдан: мондый транзистор белән ясалган процессор берничә тапкыр кечкенәрәк йышлыклы була.